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2SD1663

更新时间: 2024-11-04 07:31:31
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无锡固电 - ISC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 99K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

2SD1663 数据手册

 浏览型号2SD1663的Datasheet PDF文件第2页 
INCHANGE Semiconductor  
isc Product Specification  
isc Silicon NPN Power Transistor  
2SD1663  
DESCRIPTION  
·High Collector-Base Breakdown Voltage-  
: V(BR)CBO= 1500V (Min.)  
·High Switching Speed  
·Wide Area of Safe Operation  
APPLICATIONS  
·Designed for power switching applications.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)  
SYMBOL  
VCBO  
VCES  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
Collector-Base Voltage  
Collector- Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VALUE  
1500  
1500  
700  
UNIT  
V
V
V
7.7  
V
Collector Current-Continuous  
Base Current-Continuous  
5
A
IB  
3
A
Collector Power Dissipation  
@ TC=25℃  
PC  
80  
W
TJ  
Junction Temperature  
150  
Storage Temperature Range  
-55~150  
Tstg  
isc Websitewww.iscsemi.cn  

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