5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 70 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 1.5 V |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1661MC2A | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| 2SD1661MC2B | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| 2SD1661MC2C | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| 2SD1662 | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS) |
|
| 2SD1662(F) | TOSHIBA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
|
| 2SD1662_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
High Current Switching Applications |
|
| 2SD1663 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistor |
|
| 2SD1663P | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 1.5KV V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-247VAR |
|
| 2SD1663Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 1.5KV V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-247VAR |
|
| 2SD1664 | ROHM |
获取价格 |
Medium Power Transistor (32V, 1A) |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
