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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.45 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 15 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 100 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 14 MHz | VCEsat-Max： | 1.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1662(F) | TOSHIBA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
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| 2SD1662_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
High Current Switching Applications |
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| 2SD1663 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistor |
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| 2SD1663P | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 1.5KV V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-247VAR |
|
| 2SD1663Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 1.5KV V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-247VAR |
|
| 2SD1664 | ROHM |
获取价格 |
Medium Power Transistor (32V, 1A) |
|
| 2SD1664 | SECOS |
获取价格 |
NPN Silicon General Purpose Transistor |
|
| 2SD1664 | WEITRON |
获取价格 |
NPN Epitaxial Planar Transistors |
|
| 2SD1664 | UTC |
获取价格 |
MEDIUM POWER NPN TRANSISTOR |
|
| 2SD1664 | HTSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR (NPN) |
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