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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 70 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1661MC2B | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1661MC2C | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1662 | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS) |
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| 2SD1662(F) | TOSHIBA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
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| 2SD1662_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
High Current Switching Applications |
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| 2SD1663 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistor |
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| 2SD1663P | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 1.5KV V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-247VAR |
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| 2SD1663Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 1.5KV V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-247VAR |
|
| 2SD1664 | ROHM |
获取价格 |
Medium Power Transistor (32V, 1A) |
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| 2SD1664 | SECOS |
获取价格 |
NPN Silicon General Purpose Transistor |
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