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2SD1221GR

更新时间: 2024-02-28 10:25:03
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其他 - ETC 晶体晶体管
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3页 105K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-251

2SD1221GR 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Lifetime BuyReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.26外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):240
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:20 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:NOT SPECIFIED端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):3 MHzVCEsat-Max:1 V
Base Number Matches:1

2SD1221GR 数据手册

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