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2SD1223(2-7B1A)

更新时间： 2024-11-02 14:26:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 152K
描述
TRANSISTOR 4000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7B1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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2SD1223(2-7B1A) 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.48外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：1000
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SD1223(2-7B1A) 数据手册

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2SD1223  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Darlington)  
2SD1223  
Switching Applications  
Unit: mm  
Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications  
Power Amplifier Applications  
•
•
•
High DC current gain: h  
= 2000 (min) (V  
= 2 V, I = 1 A)  
FE  
CE C  
Low saturation voltage: V  
= 1.5 V (max) (I = 3 A)  
C
CE (sat)  
Complementary to 2SB908.  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
100  
V
V
V
A
A
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
80  
5
I
4
0.4  
C
Base current  
I
B
JEDEC  
JEITA  
―
―
Ta = 25°C  
Tc = 25°C  
1.0  
Collector power  
dissipation  
P
W
C
15  
Junction temperature  
T
150  
°C  
°C  
j
TOSHIBA  
2-7J1A  
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
Weight: 0.36 g (typ.)  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to  
decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/”Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Equivalent Circuit  
COLLECTOR  
EMITTER  
BASE  
≈ 300 Ω  
≈ 4.5 kΩ  
1
2010-02-05  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1223(2-7J1A) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 4000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7J1A, 3 PIN, BIP General Pur
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2SD1224 TOSHIBA

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 		NPN EPITAXIAL TYPE (PULSE MOTOR DRIVE, HAMMER DRIVE, SWITCHING, POWER AMPLIFIER APPLICATIO
2SD1224_06 TOSHIBA

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