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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.91 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 32 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1225M/P | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1225M/PQ | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1225M/PR | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1225M/Q | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1225M/R | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1225MC2 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1225MC2/P | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1225MC2/PQ | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1225MC2/Q | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1225MC2/QR | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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