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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.41 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 150 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1221GR(2-7J1A) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7J1A, 3 PIN, BIP |
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| 2SD1221O | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-251 |
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| 2SD1221-O | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 2SD1221-O | KEXIN |
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NPN Transistors |
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| 2SD1221-O(2-7B1A) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
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| 2SD1221O(2-7B1A) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7B1A, 3 PIN, BIP |
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| 2SD1221-O(2-7J1A) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7J1A, 3 PIN, BIP General Pur |
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| 2SD1221O(SM) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,60V V(BR)CEO,3A I(C),TO-252VAR |
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| 2SD1221Y | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-251 |
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| 2SD1221-Y | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
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