2SD1221O(SM)

更新时间： 2024-02-12 04:14:38

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东芝 - TOSHIBA		/
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4页	151K
描述
TRANSISTOR,BJT,NPN,60V V(BR)CEO,3A I(C),TO-252VAR

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2SD1221O(SM) 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Lifetime Buy	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.26	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	20 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	NOT SPECIFIED	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	VCEsat-Max：	1 V
Base Number Matches：	1

2SD1221O(SM) 数据手册

2SD1221

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Diffused Type (PCT Process)

2SD1221

Audio Frequency Power Amplifier Application

Unit: mm

•

Low collector saturation voltage

: V = 0.4 V (typ.) (I = 3 A, I = 0.3 A)

CE (sat)

•

High power dissipation: P = 20 W (Tc = 25°C)

Complementary to 2SB906

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

EBO

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

0.5

Base current

Ta = 25°C

Tc = 25°C

1.0

Collector power

dissipation

JEDEC

JEITA

―

Junction temperature

150

°C

Storage temperature range

stg

−55 to 150

TOSHIBA

2-7J1A

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high

temperature/current/voltage and the significant change in

Weight: 0.36 g (typ.)

temperature, etc.) may cause this product to decrease in the

reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are

within the absolute maximum ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/”Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2010-05-19

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1221Y	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-251
2SD1221-Y	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
2SD1221-Y	KEXIN	获取价格	NPN Transistors
2SD1221-Y(2-7B1A)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
2SD1221Y(2-7B1A)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7B1A, 3 PIN, BIP
2SD1221-Y(2-7B2A)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
2SD1221-Y(2-7J1A)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7J1A, 3 PIN, BIP General Pur
2SD1222	TOSHIBA	获取价格	NPN EPITAXIAL TYPE (SWITCHING, HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE, POWER AMPLIFIER APPLICATIO
2SD1222(2-7B2A)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 3000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
2SD1222(2-7J1A)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 3000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7J1A, 3 PIN, BIP General Pur

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