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2SD1221-Y PDF预览

2SD1221-Y

更新时间： 2024-11-03 02:55:39
品牌 Logo 应用领域
科信 - KEXIN 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 1335K
描述
NPN Transistors

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2SD1221-Y 数据手册

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SMD Type  
Transistors  
NPN Transistors  
2SD1221  
TO-252  
Unit: mm  
+0.15  
-0.15  
6.50  
+0.1  
-0.1  
2.30  
+0.8  
-0.7  
+0.2  
■ Features  
5.30  
-0.2  
0.50  
● Low collector saturation voltage  
: VCE (sat) = 0.4 V (typ.) (I  
● High power dissipation: P  
● Complementary to 2SB906  
C
= 3 A, I  
B = 0.3 A)  
C
= 20 W (Tc = 25°C)  
0.127  
max  
+0.1  
-0.1  
0.80  
0.1  
0.1  
0.60+-  
1 Base  
2.3  
4.60  
+0.15  
-0.15  
2 Collector  
3 Emitter  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃  
Parameter  
Collector - Base Voltage  
Collector - Emitter Voltage  
Emitter - Base Voltage  
Collector Current - Continuous  
Base Current  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
60  
60  
7
I
C
3
A
I
B
0.5  
1
20  
Collector Power Dissipation  
Ta = 25℃  
Tc = 25℃  
P
C
W
℃
Junction Temperature  
T
J
150  
Storage Temperature Range  
T
stg  
-55 to 150  
■ Electrical Characteristics Ta = 25℃  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Ic= 100 μA， I = 0  
Ic= 50 mA， I = 0  
= 100μA， I = 0  
CB= 60 V , I = 0  
EB= 7V , I =0  
Min  
60  
60  
7
Typ  
Max  
Unit  
Collector- base breakdown voltage  
Collector- emitter breakdown voltage  
Emitter - base breakdown voltage  
Collector-base cut-off current  
Emitter cut-off current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
E
V
B
I
E
C
I
CBO  
EBO  
V
V
E
0.1  
0.1  
1
uA  
V
I
C
Collector-emitter saturation voltage  
Base - emitter saturation voltage  
Base - emitte voltage  
V
CE(sat)  
BE(sat)  
I
I
C
=3 A, I  
B
=300mA  
=300mA  
0.4  
0.7  
V
C=3 A, I  
B
1.2  
1
V
BE  
V
V
V
CE= 5V, I  
CE= 5V, I  
CE= 5V, I  
C= 500mA  
C= 500mA  
C= 3 A  
h
FE(1)  
FE(2)  
60  
20  
300  
DC current gain  
h
Turn-on time  
t
on  
0.8  
1.5  
0.8  
70  
3
See specified Test Circuit  
us  
Storage time  
t
stg  
Fall time  
t
f
Collector output capacitance  
Transition frequency  
C
ob  
T
V
V
CB= 10V, I  
E= 0,f=1MHz  
pF  
f
CE= 5V, I = 500mA  
C
MHz  
■ Classification of hfe(1)  
Type  
2SD1221-O  
2SD1221-Y  
100-200  
2SD1221-G  
150-300  
Range  
60-120  
1
www.kexin.com.cn  
123

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与2SD1221-Y相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1221-Y(2-7B1A) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
2SD1221Y(2-7B1A) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7B1A, 3 PIN, BIP
2SD1221-Y(2-7B2A) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
2SD1221-Y(2-7J1A) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7J1A, 3 PIN, BIP General Pur
2SD1222 TOSHIBA

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 		NPN EPITAXIAL TYPE (SWITCHING, HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE, POWER AMPLIFIER APPLICATIO
2SD1222(2-7B2A) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 3000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
2SD1222(2-7J1A) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 3000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7J1A, 3 PIN, BIP General Pur
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 		TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,40V V(BR)CEO,3A I(C),TO-252VAR
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 		Switching Applications
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