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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 15 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1222_10 | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching Applications |
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| 2SD1223 | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL TYPE (SWITCHING, HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE, POWER AMPLIFIER APPLICATIO |
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| 2SD1223(2-7B1A) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 4000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7B1A, 3 PIN, BIP General Pur |
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| 2SD1223(2-7J1A) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 4000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7J1A, 3 PIN, BIP General Pur |
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| 2SD1223_10 | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching Applications |
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| 2SD1224 | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL TYPE (PULSE MOTOR DRIVE, HAMMER DRIVE, SWITCHING, POWER AMPLIFIER APPLICATIO |
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| 2SD1224_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Pulse Motor Drive, Hammer Drive Applications |
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| 2SD1225 | ROHM |
获取价格 |
2SD1225 |
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| 2SD1225M | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1225M/P | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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