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2SD1221-GR(2-7B1A)

更新时间: 2024-02-15 00:44:25
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 102K
描述
TRANSISTOR 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

2SD1221-GR(2-7B1A) 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred包装说明:LEAD FREE, 2-7B1A, 3 PIN
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.41
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):150JESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):240极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):3 MHz
Base Number Matches:1

2SD1221-GR(2-7B1A) 数据手册

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