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2SD1209(K)RR

更新时间： 2024-11-01 13:04:23

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		/
页数	文件大小	规格书
6页	157K
描述
100 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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2SD1209(K)RR 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.5	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	4000
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SD1209(K)RR 数据手册

2SD1209(K)

Silicon NPN Epitaxial, Darlington

REJ03G0783-0200

(Previous ADE-208-1143)

Rev.2.00

Aug.10.2005

Application

•

Low frequency power amplifier

Complementary pair with 2SA1193(K)

Outline

RENESAS Package code: PRSS0003DC-A

(Package name: TO-92 Mod)

1. Emitter

2. Collector

3. Base

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

Collector peak current

Collector power dissipation

Junction temperature

i_C(peak)

P_C

0.9

°C

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5

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与2SD1209(K)RR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1209(K)TZ	HITACHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92MOD,
2SD1209(K)TZ	RENESAS	获取价格	1000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92MOD, 3 PIN
2SD1209K	HITACHI	获取价格	Silicon NPN Epitaxial, Darlington
2SD1209K	RENESAS	获取价格	Silicon NPN Epitaxial, Darlington
2SD1209KTZ-E	RENESAS	获取价格	Silicon NPN Epitaxial, Darlington
2SD1210	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
2SD1211	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification)
2SD1211R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 120V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SC-51
2SD1211S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 120V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SC-51
2SD1212	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors