2SD1213

更新时间： 2024-02-28 13:43:50

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	128K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD1213 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	20 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	140	JEDEC-95代码：	TO-218
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	60 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	VCEsat-Max：	0.4 V
Base Number Matches：	1

2SD1213 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD1213

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·Low collector saturation voltage

·Large current capacity.

·Complement to type 2SB904

APPLICATIONS

·Large current switching of relay drivers,

high-speed inverters, converters.

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

Open base

Open collector

Collector current (DC)

Collector current (Pulse)

I_CP

T_C=25℃

T_a=25℃

P_C

Collector power dissipation

2.5

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3

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