2SD1209K

更新时间： 2024-11-01 05:57:35

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瑞萨 - RENESAS		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	157K
描述
Silicon NPN Epitaxial, Darlington

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2SD1209K 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.5
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	Base Number Matches：	1

2SD1209K 数据手册

2SD1209(K)

Silicon NPN Epitaxial, Darlington

REJ03G0783-0200

(Previous ADE-208-1143)

Rev.2.00

Aug.10.2005

Application

•

Low frequency power amplifier

Complementary pair with 2SA1193(K)

Outline

RENESAS Package code: PRSS0003DC-A

(Package name: TO-92 Mod)

1. Emitter

2. Collector

3. Base

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

Collector peak current

Collector power dissipation

Junction temperature

i_C(peak)

P_C

0.9

°C

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SD1211R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 120V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SC-51
2SD1211S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 120V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SC-51
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