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2SD1211R

更新时间： 2024-02-16 01:14:06
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其他 - ETC 晶体晶体管
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3页 64K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-51

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2SD1211R 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.82
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：120 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：185
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

2SD1211R 数据手册

 浏览型号2SD1211R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD1211R的Datasheet PDF文件第3页 
Transistor  
2SD1211  
Silicon NPN epitaxial planer type  
For low-frequency amplification  
Unit: mm  
Complementary to 2SB0987 (2SB987)  
5.9 0.2  
4.9 0.2  
Features  
High collector to emitter voltage VCEO  
I
G
.
G
Optimum for the driver-stage of a low-frequency and 40 to 60W  
output amplifier.  
0.7 0.1  
2.54 0.15  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
I
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
120  
120  
V
0.45+–0.21  
0.45+–00..12  
1.27  
1.27  
5
V
1:Emitter  
1
A
2:Collector  
3:Base  
1
2
3
IC  
0.5  
1
A
EIAJ:SC–51  
TO–92L Package  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
W
˚C  
˚C  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
I
Parameter  
Symbol  
VCEO  
Conditions  
min  
120  
5
typ  
max  
Unit  
V
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
IC = 0.1mA, IB = 0  
IE = 10µA, IC = 0  
CE = 10V, IC = 150mA  
VEBO  
V
*
hFE1  
V
130  
50  
330  
Forward current transfer ratio  
hFE2  
VCE = 5V, IC = 500mA  
IC = 300mA, IB = 30mA  
IC = 300mA, IB = 30mA  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
1
V
V
1.2  
Transition frequency  
fT  
VCB = 10V, IE = –50mA, f = 200MHz  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz  
200  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
20  
*hFE1 Rank classification  
Rank  
hFE1  
R
S
130 ~ 220  
185 ~ 330  
Note.) The Part number in the Parenthesis shows conventional part number.  
1
123

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