Datasheet > 2SD1220-O(2-7J1A)

2SD1220-O(2-7J1A)

更新时间： 2024-11-01 14:32:03

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	168K
描述
TRANSISTOR 1500 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7J1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SD1220-O(2-7J1A) 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.85
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	150 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2SD1220-O(2-7J1A) 数据手册

浏览型号2SD1220-O(2-7J1A)的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号2SD1220-O(2-7J1A)的Datasheet PDF文件第3页

2SD1220

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

2SD1220

Power Amplifier Applications

Unit: mm

•

Complementary to 2SB905

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

EBO

150

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

1.5

Base current

1.0

Ta = 25°C

Tc = 25°C

1.0

Collector power

dissipation

Junction temperature

150

°C

Storage temperature range

stg

−55 to 150

JEDEC

JEITA

―

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high

temperature/current/voltage and the significant change in

temperature, etc.) may cause this product to decrease in the

reliability significantly even if the operating conditions (i.e.

operating temperature/current/voltage, etc.) are within the

absolute maximum ratings.

TOSHIBA

2-7J1A

Weight: 0.36 g (typ.)

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/”Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2010-02-05

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与2SD1220-O(2-7J1A)相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1220O(SM)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,150V V(BR)CEO,1.5A I(C),TO-252AA
2SD1220R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 150V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-251AA
2SD1220-R(2-7B1A)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 1500 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7B1A, 3 PIN, BIP
2SD1220-R(2-7B2A)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 1500 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sig
2SD1220R(SM)	TOSHIBA	获取价格	暂无描述
2SD1220Y	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 150V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-251AA
2SD1220-Y(2-7B1A)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 1500 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7B1A, 3 PIN, BIP
2SD1220-Y(2-7B2A)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 1500 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sig
2SD1220-Y(2-7J1A)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 1500 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7J1A, 3 PIN, BIP
2SD1220Y(SM)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,150V V(BR)CEO,1.5A I(C),TO-252AA

与2SD1220-O(2-7J1A)相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

4
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

2
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

23
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

24

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SD1220-O(2-7J1A)

2SD1220-O(2-7J1A) 技术参数

2SD1220-O(2-7J1A) 数据手册

与2SD1220-O(2-7J1A)相关器件

与2SD1220-O(2-7J1A)相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SD1220-O(2-7J1A)

2SD1220-O(2-7J1A) 技术参数

2SD1220-O(2-7J1A) 数据手册

与2SD1220-O(2-7J1A)相关器件

与2SD1220-O(2-7J1A)相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？