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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.75 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 20 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 140 | JEDEC-95代码： | TO-218 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 60 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz | VCEsat-Max： | 0.4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1213S | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-218VAR |
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| 2SD1216 | PANASONIC |
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SI NPN PLANAR DARLINGTON |
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| 2SD1217 | ETC |
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SI NPN PLANAR DARLINGTON |
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| 2SD1218 | ETC |
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SI NPN PLANAR DARLINGTON |
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| 2SD1220 | KEXIN |
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Silicon NPN Epitaxial Transistor |
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| 2SD1220 | TYSEMI |
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Power Amplifier Applications Collector-base voltage VCBO 150 V |
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| 2SD1220 | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SD1220(2-7B1A) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 1500 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7B1A, 3 PIN, BIP |
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| 2SD1220(2-7J1A) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 1500 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7J1A, 3 PIN, BIP |
|
| 2SD1220_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
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