5秒后页面跳转
2SD1212 PDF预览

2SD1212

更新时间: 2024-02-19 19:21:53
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 晶体开关晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 109K
描述
30V/12A High-Speed Switching Applications

2SD1212 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:SFM
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.3最大集电极电流 (IC):12 A
集电极-发射极最大电压:30 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):140JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:35 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):120 MHzVCEsat-Max:0.4 V
Base Number Matches:1

2SD1212 数据手册

 浏览型号2SD1212的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD1212的Datasheet PDF文件第3页 

与2SD1212相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1212Q ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220
2SD1212R ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220
2SD1212S ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220
2SD1213 SAVANTIC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2SD1213 SANYO

获取价格

30V/20A High-Speed Switching Applications
2SD1213 JMNIC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2SD1213 ISC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2SD1213Q ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-218VAR
2SD1213R ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-218VAR
2SD1213S ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-218VAR