2SD1210

更新时间： 2024-11-01 07:31:19

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	92K
描述
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

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2SD1210 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Base Number Matches：	1

2SD1210 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

2SD1210

DESCRIPTION

·High DC Current Gain

: h_FE= 1000(Min.)@ I_C= 10A

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 100V(Min)

APPLICATIONS

·Designed for audio frequency power amplifier and low

speed high current switching industrial use.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

150

100

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current- Continuous

I_CM

I_B

Collector Power Dissipation

@T_a=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

T_j

Junction Temperature

150

-55~150

℃

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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