2SD1211

更新时间： 2024-10-31 22:45:07

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松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管放大器
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2页	40K
描述
Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification)

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2SD1211 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.89	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

2SD1211 数据手册

Transistor

2SD1211

Silicon NPN epitaxial planer type

For low-frequency amplification

Complementary to 2SB987

Unit: mm

5.9±0.2

4.9±0.2

Features

High collector to emitter voltage V_CEO

■

●

Optimum for the driver-stage of a low-frequency and 40 to 60W

output amplifier.

0.7±0.1

2.54±0.15

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

120

0.45^+–0.2¹

0.45⁺–0⁰.^.1²

1.27

1:Emitter

2:Collector

3:Base

I_C

0.5

EIAJ:SC–51

TO–92L Package

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

˚C

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CEO

Conditions

min

120

typ

max

Unit

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

I_C= 0.1mA, I_B= 0

I_E= 10µA, I_C= 0

_CE= 10V, I_C= 150mA

V_EBO

h_FE1

130

330

Forward current transfer ratio

h_FE2

V_CE= 5V, I_C= 500mA

I_C= 300mA, I_B= 30mA

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

1.2

Transition frequency

f_T

V_CB= 10V, I_E= –50mA, f = 200MHz

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

200

MHz

Collector output capacitance

C_ob

^*h_FE1Rank classification

Rank

h_FE1

130 ~ 220

185 ~ 330

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1211R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 120V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SC-51
2SD1211S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 120V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SC-51
2SD1212	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD1212	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD1212	SANYO	获取价格	30V/12A High-Speed Switching Applications
2SD1212Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 30V V(BR)CEO \| 12A I(C) \| TO-220
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