Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD1209(K)TZ

2SD1209(K)TZ

更新时间： 2024-11-01 13:04:23

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		/
页数	文件大小	规格书
6页	157K
描述
1000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92MOD, 3 PIN

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2SD1209(K)TZ 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.5
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	4000	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SD1209(K)TZ 数据手册

2SD1209(K)

Silicon NPN Epitaxial, Darlington

REJ03G0783-0200

(Previous ADE-208-1143)

Rev.2.00

Aug.10.2005

Application

•

Low frequency power amplifier

Complementary pair with 2SA1193(K)

Outline

RENESAS Package code: PRSS0003DC-A

(Package name: TO-92 Mod)

1. Emitter

2. Collector

3. Base

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

Collector peak current

Collector power dissipation

Junction temperature

i_C(peak)

P_C

0.9

°C

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5

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