是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.84 |
最大集电极电流 (IC): | 2.5 A | 集电极-发射极最大电压: | 15 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 280 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e6 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 0.6 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 180 MHz |
最大关闭时间(toff): | 110 ns | 最大开启时间(吨): | 30 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FMMT618 | DIODES |
类似代替 |
SOT23 NPN SILICON POWER | |
FMMT618TC | DIODES |
功能相似 |
Transistor | |
FMMT618TA | DIODES |
功能相似 |
20V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SC5593 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial High Frequency Low Noise Amplifier | |
2SC5593 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial High Frequency Low Noise Amplifier | |
2SC5594 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial High Frequency Low Noise Amplifier | |
2SC5594 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial High Frequency Low Noise Amplifier | |
2SC5594XP-TL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial High Frequency Low Noise Amplifier | |
2SC5597 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon NPN triple diffusion mesa type(For horizontal deflection output) | |
2SC5599 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-75 | |
2SC5599-FB | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUPE | |
2SC5599-T1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-75 | |
2SC5600 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416VAR |