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2SC5599-FB

更新时间： 2024-11-18 20:59:55

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
24页	101K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3

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2SC5599-FB 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	1 pF
集电极-发射极最大电压：	5.5 V	配置：	SINGLE
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	6500 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5599-FB 数据手册

DATA SHEET

NPN SILICON RF TRANSISTOR

2SC5599

NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR

LOW NOISE · HIGH-GAIN AMPLIFICATION

3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD

FEATURES

•

Low voltage operation, low phase distortion

Ideal for OSC applications

3-pin ultra super minimold package(t = 0.75 mm)

ORDERING INFORMATION

Part Number

Quantity

Supplying Form

2SC5599

50 pcs (Non reel)

3 kpcs/reel

• 8 mm wide embossed taping

• Pin 3 (collector) face the perforation side of the tape

2SC5599-T1

Remark To order evaluation samples, consult your NEC sales representative (Unit sample quantity is 50 pcs).

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= +25°C)

Parameter

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Ratings

Unit

5.5

1.5

100

°C

tot^Note

200

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

T^j

150

T^stg

−65 to +150

Note Mounted on 1.08 cm²× 1.0 mm (t) glass epoxy substrate

Because this product uses high-frequency technology, avoid excessive static electricity, etc.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. P15145EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published November 2000 NS CP(K)

Printed in Japan

2000

12 3 4 5 6 7...24

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与2SC5599-FB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5599-T1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 5.5V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SC-75
2SC5600	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 5.5V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-416VAR
2SC5600-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULTR
2SC5600-T1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 5.5V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-416VAR
2SC5600-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULTR
2SC5602	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 6V V(BR)CEO \| 35MA I(C) \| SOT-416
2SC5602-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SU
2SC5602-T1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 6V V(BR)CEO \| 35MA I(C) \| SOT-416
2SC5602-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SU
2SC5603	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 6V V(BR)CEO \| 35MA I(C) \| SOT-416VAR

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