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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.33 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.035 A | 基于收集器的最大容量： | 0.3 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 3.3 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | L BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 21000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5606-T1-FB-A | RENESAS |
获取价格 |
L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 19, 1608, ULTRA SUPER MINIMOLD PAC |
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| 2SC5606-T1FB-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SU |
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| 2SC5606-T1YFB-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, LEAD FRE |
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| 2SC5606-YFB-A | RENESAS |
获取价格 |
L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 19, 1608, ULTRA SUPER MINIMOLD PAC |
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| 2SC5607 | SANYO |
获取价格 |
DC / DC Converter Applications |
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| 2SC5609 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon PNP epitaxial planer type |
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| 2SC5610 | SANYO |
获取价格 |
DC/DC Converter Applications |
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| 2SC5611 | SANYO |
获取价格 |
60V / 5A High-Speed Switching Applications |
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| 2SC5612 | TOSHIBA |
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NPN TRILE DIFFUSED MESA TYPE (HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR COLOR TV) |
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| 2SC5614 | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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