5秒后页面跳转
2SC5612 PDF预览

2SC5612

更新时间: 2024-11-17 22:52:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率双极晶体管电视输出元件局域网
页数 文件大小 规格书
5页 236K
描述
NPN TRILE DIFFUSED MESA TYPE (HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR COLOR TV)

2SC5612 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Lifetime Buy包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.43外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):22 A集电极-发射极最大电压:900 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):4.8
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):220 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):2 MHz
Base Number Matches:1

2SC5612 数据手册

 浏览型号2SC5612的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC5612的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC5612的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SC5612的Datasheet PDF文件第5页 

与2SC5612相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5614 NEC

获取价格

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC5614 CEL

获取价格

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC5614(NE856M13) ETC

获取价格

Discrete
2SC5614-A NEC

获取价格

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC5614EB ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SMT
2SC5614-EB-A NEC

获取价格

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC5614EB-T3 ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SMT
2SC5614FB ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SMT
2SC5614-FB NEC

获取价格

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC5614-FB-A NEC

获取价格

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic