Datasheet > 2SC5615-T3EB

2SC5615-T3EB

更新时间： 2024-11-18 19:33:03

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
31页	124K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC5615-T3EB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.7	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.065 A	基于收集器的最大容量：	0.9 pF
集电极-发射极最大电压：	10 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	7000 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5615-T3EB 数据手册

DATA SHEET

NPN SILICON RF TRANSISTOR

2SC5615

NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE

3-PIN LEAD-LESS MINIMOLD

FEATURES

•

1005 package employed (1.0 × 0.5 × 0.5 mm)

NF = 1.4 dB TYP., S^21e²= 12.0 dB TYP. @ V^CE= 3 V, I^C= 7 mA, f = 1 GHz

ORDERING INFORMATION

Part Number

Quantity

Supplying Form

2SC5615

50 pcs (Non reel)

10 kpcs/reel

• 8 mm wide embossed taping

• Pin 2 (Base) face the perforation side of the tape

2SC5615-T3

Remark To order evaluation samples, contact your nearby sales office.

The unit sample quantity is 50 pcs.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= +25°C)

Parameter

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Ratings

Unit

1.5

°C

tot ^Note

140

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

T^j

150

T^stg

−65 to +150

Note Mounted on 1.08 cm²× 1.0 mm (t) glass epoxy PCB

Because this product uses high-frequency technology, avoid excessive static electricity, etc.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm that

this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC Compound Semiconductor Devices

representative for availability and additional information.

Document No. PU10081EJ01V0DS (1st edition)

The mark • shows major revised points.

(Previous No. P15572EJ1V0DS00)

Date Published January 2002 CP(K)

Printed in Japan

NEC Corporation 2001

NEC Compound Semiconductor Devices 2002

12 3 4 5 6 7...31

中文翻译

下载PDF

与2SC5615-T3EB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5615-T3EB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
2SC5615-T3FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
2SC5616-EB	NEC	获取价格	暂无描述
2SC5616-T3EB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD P
2SC5617	RENESAS	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS
2SC5617(NE685M13)	ETC	获取价格	Discrete
2SC5617-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS
2SC5617EB	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 6V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| SOT-416VAR
2SC5617-EB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS
2SC5617EB-A	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,6V V(BR)CEO,30MA I(C),SOT-416VAR

与2SC5615-T3EB相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

18
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

43
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

38

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC5615-T3EB

2SC5615-T3EB 技术参数

2SC5615-T3EB 数据手册

与2SC5615-T3EB相关器件

与2SC5615-T3EB相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC5615-T3EB

2SC5615-T3EB 技术参数

2SC5615-T3EB 数据手册

与2SC5615-T3EB相关器件

与2SC5615-T3EB相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？