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2SC5607

更新时间： 2024-11-17 22:52:47

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三洋 - SANYO		晶体转换器晶体管开关
页数	文件大小	规格书
4页	34K
描述
DC / DC Converter Applications

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2SC5607 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	10 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.55 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	380 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5607 数据手册

Ordering number : ENN6403A

2SC5607

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor

2SC5607

DC / DC Converter Applications

Applications

Package Dimensions

unit : mm

•

Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes.

2033A

Features

[2SC5607]

•

Adoption of MBIT processes.

2.2

4.0

•

Large current capacitance.

•

Low collector-to-emitter saturation voltage.

•

High-speed switching.

0.4

0.5

•

High allowable power dissipation.

0.4

1.3

1 : Emitter

2 : Collector

3 : Base

3.0

3.8nom

SANYO : SPA

Specifications

Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C

Parameter

Collector-to-Base Voltage

Collector-to-Emitter Voltage

Emitter-to-Base Voltage

Collector Current

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

CBO

CEO

EBO

Collector Current (Pulse)

Base Current

0.55

Collector Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

°C

150

Tstg

--55 to +150

Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle

applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's

control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious

physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using

any SANYO products described or contained herein in such applications.

SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that

exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other

parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained

herein.

SANYO Electric Co.,Ltd. Sem iconductor Com pany

TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN

62502 TS IM TA-3603 / 21000 TS (KOTO) TA-2526 No.6403-1/4

12 3 4

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2SC5607 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
ZTX688BSTOB	DIODES	功能相似	Transistor
ZTX688B	DIODES	功能相似	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

与2SC5607相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5609	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer type
2SC5610	SANYO	获取价格	DC/DC Converter Applications
2SC5611	SANYO	获取价格	60V / 5A High-Speed Switching Applications
2SC5612	TOSHIBA	获取价格	NPN TRILE DIFFUSED MESA TYPE (HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR COLOR TV)
2SC5614	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC5614	CEL	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC5614(NE856M13)	ETC	获取价格	Discrete
2SC5614-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC5614EB	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 12V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SMT
2SC5614-EB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic

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