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ZTX688B

更新时间： 2024-10-14 07:42:51
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3页 70K
描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

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NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
HIGH GAIN TRANSISTOR  
ISSUE 2 – MAY 94  
ZTX688B  
FEATURES  
*
*
*
12 Volt VCEO  
Gain of 400 at IC=3 Amps  
Very low saturation voltage  
APPLICATIONS  
*
*
*
*
Darlington replacement  
Flash gun convertors  
Battery powered circuits  
Motor drivers  
C
B
E
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
12  
12  
5
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
Peak Pulse Current  
10  
3
A
Continuous Collector Current  
Practical Power Dissipation*  
IC  
A
Ptotp  
Ptot  
1.5  
W
Power Dissipation at Tamb=25°C  
derate above 25°C  
1
5.7  
W
mW/°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
°C  
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a  
P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
amb  
= 25°C)  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. TYP.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base Breakdown  
Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
12  
12  
5
V
V
V
IC=100µA  
IC=10mA*  
IE=100µA  
Collector-Emitter Breakdown  
Voltage  
Emitter-Base Breakdown  
Voltage  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
ICBO  
0.1  
0.1  
VCB=10V  
µA  
µA  
IEBO  
VEB=4V  
Collector-Emitter Saturation  
Voltage  
VCE(sat)  
0.04  
0.06  
0.18  
0.35  
V
V
V
V
IC=0.1A, IB=1mA  
IC=0.1A, IB=0.5mA*  
IC=1A, IB=50mA*  
IC=3A, IB=20mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
1.1  
V
IC=3A, IB=20mA*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
1
V
IC=3A, VCE=2V*  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
500  
400  
100  
IC=0.1A, VCE=2V*  
IC=3A, VCE=2V*  
IC=10A, VCE=2V*  
3-232  
123

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ZTX688B 替代型号

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