ZTX688BSM

更新时间： 2024-01-19 14:59:44

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美台 - DIODES		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	70K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZTX688BSM 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.27
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	15 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PSSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

ZTX688BSM 数据手册

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER

HIGH GAIN TRANSISTOR

ISSUE 2 MAY 94

ZTX688B

FEATURES

12 Volt V_CEO

Gain of 400 at I_C=3 Amps

Very low saturation voltage

APPLICATIONS

Darlington replacement

Flash gun convertors

Battery powered circuits

Motor drivers

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Practical Power Dissipation*

I_C

P_totp

P_tot

1.5

Power Dissipation at T_amb=25°C

derate above 25°C

5.7

mW/°C

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +200

°C

*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a

P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C)

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector-Base Breakdown

Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_C=100µA

I_C=10mA*

I_E=100µA

Collector-Emitter Breakdown

Voltage

Emitter-Base Breakdown

Voltage

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

I_CBO

0.1

V_CB=10V

µA

I_EBO

V_EB=4V

Collector-Emitter Saturation

Voltage

V_CE(sat)

0.04

0.06

0.18

0.35

I_C=0.1A, I_B=1mA

I_C=0.1A, I_B=0.5mA*

I_C=1A, I_B=50mA*

I_C=3A, I_B=20mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

V_BE(on)

h_FE

1.1

I_C=3A, I_B=20mA*

Base-Emitter

Turn-On Voltage

IC=3A, V_CE=2V*

Static Forward Current

Transfer Ratio

500

400

100

I_C=0.1A, V_CE=2V*

I_C=3A, V_CE=2V*

I_C=10A, V_CE=2V*

3-232

12 3

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