2SC5597

更新时间： 2024-10-31 22:52:47

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
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描述
Silicon NPN triple diffusion mesa type(For horizontal deflection output)

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2SC5597 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3LA1
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)：	22 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	6
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	200 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5597 数据手册

Power Transistors

2SC5597

Silicon NPN triple diffusion mesa type

Unit: mm

For horizontal deflection output

20.0 0.5

5.0 0.3

(3.0)

φ 3.3 0.2

I Features

• High breakdown voltage, and high reliability through the use of a

glass passivation layer

• High-speed switching

(1.5)

• Wide area of safe operation (ASO)

(1.5)

2.0 0.3

2.7 0.3

3.0 0.3

1.0 0.2

I Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

0.6 0.2

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CES

V_CEO

V_EBO

I_CP

Rating

Unit

5.45 0.3

10.9 0.5

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

1 700

1: Base

2: Collector

3: Emitter

600

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

Base current

TOP-3L Package

Marking Symbol: C5597

Internal Connection

I_C

I_B

T_C= 25°C

T_a= 25°C

P_C

200

Collector power

dissipation

3.5

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

I Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

µA

Collector cutoff current

I_CBO

V_CB= 1 000 V, I_E= 0

V_CB= 1 700 V, I_E= 0

µA

Emitter cutoff current

Forward current transfer ratio

Collector to emitter saturation voltage

Base to emitter saturation voltage

Transition frequency

I_EBO

h_FE

V_EB= 7 V, I_C= 0

V_CE= 5 V, I_C= 11 A

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

I_C= 11 A, I_B= 2.75 A

V_CE= 10 V, I_C= 0.1 A, f = 0.5 MHz

I_C= 11 A, Resistance loaded

I_B1= 2.75 A, I_B2= −5.5 A

1.5

MHz

µs

Storage time

t_stg

3.0

0.2

Fall time

t_f

µs

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2SC5599-T1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 5.5V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SC-75
2SC5600	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 5.5V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-416VAR
2SC5600-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULTR
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2SC5602-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SU
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