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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SC3419-O
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2SC3419-O

更新时间： 2024-11-04 13:01:07
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 123K
描述
TRANSISTOR 0.8 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-8H1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power

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2SC3419-O 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.85
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.8 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：70JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：5 W最大功率耗散 (Abs)：1.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzVCEsat-Max：0.8 V
Base Number Matches：1

2SC3419-O 数据手册

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2SC3419  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)  
2SC3419  
Medium-Power Amplifier Applications.  
Unit: mm  
•
Low saturation voltage: V  
= 0.25 V (typ.)  
(I = 500 mA, I = 50 mA)  
CE (sat)  
C
B
•
•
High collector power dissipation: P = 1.2 W (Ta = 25°C)  
C
Complementary to 2SA1356  
Maximum Ratings  
(Tc = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
40  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
40  
5
V
I
800  
mA  
mA  
C
Base current  
I
B
80  
1.2  
Ta = 25°C  
Tc = 25°C  
Collector power  
dissipation  
P
W
C
5
JEDEC  
JEITA  
―
―
Junction temperature  
T
150  
°C  
°C  
j
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
TOSHIBA  
2-8H1A  
Weight: 0.82 g (typ.)  
Electrical Characteristics (Tc = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
= 40 V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
I
I
V
V
―
―
40  
―
―
―
1.0  
1.0  
―
µA  
µA  
V
CBO  
CB  
E
Emitter cut-off current  
= 5 V, I = 0  
C
EBO  
EB  
Collector-emitter breakdown voltage  
V
I = 10 mA, I = 0  
C B  
CEO  
h
FE (1)  
V
V
= 2 V, I = 50 mA  
70  
―
240  
CE  
C
DC current gain  
(Note)  
h
= 2 V, I = 0.8 A  
13  
―
―
50  
―
60  
0.25  
0.90  
100  
10  
―
0.8  
1.1  
―
FE (2)  
CE  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter voltage  
V
I
C
= 500 mA, I = 50 mA  
V
V
CE (sat)  
B
V
BE  
V
CE  
V
CE  
V
CB  
= 2 V, I = 500 mA  
C
Transition frequency  
f
= 2 V, I = 0.5 A  
MHz  
pF  
T
C
Collector output capacitance  
C
ob  
= 10 V, I = 0, f = 1 MHz  
―
E
Note: h  
FE (1)  
classification O: 70 to 140, Y: 120 to 240  
1
2004-07-07  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC3419Y ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-126
2SC3419-Y TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 0.8 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-8H1A, 3 PIN, BIP General P
2SC3420 ISC

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