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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.82 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.8 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 5 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.8 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3420 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3420 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3420 | WINNERJOIN |
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TRANSISTOR (NPN) |
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| 2SC3420 | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL TYPE (STOROBO FLASH, MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SC3420 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3420 | FOSHAN |
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TO-126F |
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| 2SC3420_06 | TOSHIBA |
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Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Strobe Flash Applications |
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| 2SC3420_15 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3420_2014 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3420BL | TOSHIBA |
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Transistor |
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