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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SC3420-Y
2SC3420-Y PDF预览

2SC3420-Y

更新时间： 2024-11-03 13:04:15
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率双极晶体管闪光灯放大器PC局域网
页数 文件大小 规格书
4页 124K
描述
TRANSISTOR 5 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-8H1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power

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2SC3420-Y 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.74
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：140JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：10 W最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzVCEsat-Max：1 V
Base Number Matches：1

2SC3420-Y 数据手册

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2SC3420  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)  
2SC3420  
Strobe Flash Applications  
Unit: mm  
Audio Power Amplifier Applications  
•
High DC current gain: h  
: h  
= 140 to 600 (V  
= 2 V, I = 0.5 A)  
FE  
FE  
CE C  
= 70 (min) (V  
= 2 V, I = 4 A)  
C
CE  
•
•
Low saturation voltage: V  
= 1.0 V (max) (I = 4 A, I = 0.1 A)  
CE (sat) C B  
High collector power dissipation: P = 10 W (Tc = 25°C),  
C
P
C
= 1.5 W (Ta = 25°C)  
Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
V
50  
40  
20  
8
CBO  
V
CES  
CEO  
EBO  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
V
V
V
V
DC  
I
5
JEDEC  
JEITA  
―
―
C
Collector current  
A
Pulse  
I
8
CP  
(Note 1)  
TOSHIBA  
2-8H1A  
Base current  
I
1
1.5  
A
B
Weight: 0.82 g (typ.)  
Ta = 25°C  
Tc = 25°C  
Collector power  
dissipation  
P
W
C
10  
Junction temperature  
T
150  
°C  
°C  
j
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
Note 1: Pulse test: Pulse width = 10 ms (max) Duty cycle = 30% (max)  
Note 2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly  
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute  
maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
1
2006-11-09  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC3421 ISC

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 		isc Silicon NPN Power Transistor
2SC3421 TOSHIBA

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2SC3421 FOSHAN

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 		TO-126F
2SC3421_06 TOSHIBA

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2SC3421O ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126
2SC3421-O TOSHIBA

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