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2SC3425

更新时间: 2024-01-09 11:37:43
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率双极晶体管开关PC局域网
页数 文件大小 规格书
3页 221K
描述
TRANSISTOR SILICON NPN DIFFUSED TYPE (PCT PROCESS)

2SC3425 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Lifetime Buy包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.43最大集电极电流 (IC):0.8 A
集电极-发射极最大电压:400 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:10 W最大功率耗散 (Abs):1.2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):4000 nsVCEsat-Max:0.5 V
Base Number Matches:1

2SC3425 数据手册

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