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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.79 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 150 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 5 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3424 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-126VAR |
|
| 2SC3425 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR SILICON NPN DIFFUSED TYPE (PCT PROCESS) |
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| 2SC3425_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT Process) |
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| 2SC3426 | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (SWITCHING REGULATOR AND HIGH VOLTAGE SWITCHING, HIGH SPEED DC-DC |
|
| 2SC3429 | TYSEMI |
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Low Noise Figure NF=1.5dB,|S21e|2=16dB(f=500MHz) NF=1.5dB,|S21e| =10.5dB(f=1GHz) |
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| 2SC3429 | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF ~ UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SC3429 | KEXIN |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial Planar Type |
|
| 2SC3437 | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL TYPE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING, COMPUTER, COUNTER APPLICATIONS) |
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| 2SC3437 | CJ |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SC3437 | TYSEMI |
获取价格 |
High transition frequency: fT = 400 MHz (typ). Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.3 V ( |
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