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2SC3421Y

更新时间： 2024-02-05 11:03:18

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其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	178K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 120V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-126

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2SC3421Y 技术参数

是否无铅：	含铅	生命周期：	Not Recommended
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.39
Samacsys Confidence：	4	Samacsys Status：	Released
2D Presentation：	https://componentsearchengine.com/2D/0T/1304458.1.1.png	Schematic Symbol：	https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=1304458
PCB Footprint：	https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=1304458	3D View：	https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=1304458
Samacsys PartID：	1304458	Samacsys Image：	https://componentsearchengine.com/Images/9/2SC3421-Y.jpg
Samacsys Thumbnail Image：	https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/2SC3421-Y.jpg	Samacsys Pin Count：	3
Samacsys Part Category：	Transistor BJT NPN	Samacsys Package Category：	Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：	2-8H1A	Samacsys Released Date：	2018-11-06 20:24:52
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	10 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	NOT SPECIFIED
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
VCEsat-Max：	1 V	Base Number Matches：	1

2SC3421Y 数据手册

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与2SC3421Y相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC3421-Y	TOSHIBA	TRANSISTOR 1 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-8H1A, 3 PIN, BIP General Pu	获取价格
2SC3422	TOSHIBA	NPN EPITAXIAL TYPE (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER, LOW SPEED SWITCHING)	获取价格
2SC3422_06	TOSHIBA	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Audio Frequency Power Amplifier	获取价格
2SC3422O	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-126	获取价格
2SC3422-O	TOSHIBA	TRANSISTOR 3 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-8H1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power	获取价格
2SC3422Y	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-126	获取价格