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| 是否无铅： | 含铅 | 生命周期： | Not Recommended |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.4 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 120 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 10 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | NOT SPECIFIED |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz |
| VCEsat-Max： | 1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3421Y | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
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| 2SC3421-Y | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 1 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-8H1A, 3 PIN, BIP General Pu |
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| 2SC3422 | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL TYPE (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER, LOW SPEED SWITCHING) |
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| 2SC3422 | FOSHAN |
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TO-126F |
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| 2SC3422_06 | TOSHIBA |
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Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Audio Frequency Power Amplifier |
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| 2SC3422O | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126 |
|
| 2SC3422-O | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 3 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-8H1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power |
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| 2SC3422Y | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126 |
|
| 2SC3422-Y | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 3 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-8H1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power |
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| 2SC3423 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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