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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Lifetime Buy | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.4 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 10 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz |
| VCEsat-Max： | 1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3421_06 | TOSHIBA |
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Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Audio Frequency Power Amplifier Applications |
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| 2SC3421O | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
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| 2SC3421-O | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 1 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-8H1A, 3 PIN, BIP General Pu |
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| 2SC3421Y | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
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| 2SC3421-Y | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-8H1A, 3 PIN, BIP General Pu |
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| 2SC3422 | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL TYPE (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER, LOW SPEED SWITCHING) |
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| 2SC3422 | FOSHAN |
获取价格 |
TO-126F |
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| 2SC3422_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Audio Frequency Power Amplifier |
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| 2SC3422O | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126 |
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| 2SC3422-O | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 3 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-8H1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power |
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