Datasheet > 2SC3420_2014

2SC3420_2014

更新时间： 2022-02-26 13:01:07

品牌	Logo	应用领域
锦美电子 - JMNIC		/
页数	文件大小	规格书
4页	201K
描述
Silicon NPN Power Transistors

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC3420_2014 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3420

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·High DC current gain

·Low saturation voltage

·High collector power dissipation

APPLICATIONS

·Storobo flash applications

·Medium power amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

Collector- emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Base current

I_B

1.5

T_a=25℃

T_C=25℃

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

℃

T_stg

-55～+150

12 3 4

下载PDF

与2SC3420_2014相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC3420BL	TOSHIBA	Transistor	获取价格
2SC3420BL	YANGJIE	Transistor	获取价格
2SC3420BL	TRSYS	Transistor	获取价格
2SC3420-BL	TOSHIBA	TRANSISTOR 5 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-8H1A, 3 PIN, BIP General Pur	获取价格
2SC3420GR	YANGJIE	Transistor	获取价格
2SC3420GR	ISC	Transistor	获取价格