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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.74 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 140 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3420-Y | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 5 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-8H1A, 3 PIN, BIP General Pur |
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| 2SC3421 | ISC |
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isc Silicon NPN Power Transistor |
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| 2SC3421 | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL TYPE (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SC3421 | FOSHAN |
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TO-126F |
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| 2SC3421_06 | TOSHIBA |
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Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Audio Frequency Power Amplifier Applications |
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| 2SC3421O | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
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| 2SC3421-O | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 1 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-8H1A, 3 PIN, BIP General Pu |
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| 2SC3421Y | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
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| 2SC3421-Y | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-8H1A, 3 PIN, BIP General Pu |
|
| 2SC3422 | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL TYPE (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER, LOW SPEED SWITCHING) |
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