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2SC3419

更新时间: 2024-11-02 22:52:43
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东芝 - TOSHIBA 晶体放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 155K
描述
NPN EPITAXIAL TYPE (MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

2SC3419 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:LEAD FREE, 2-8H1A, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.44
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.8 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):13JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

2SC3419 数据手册

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