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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 300 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-126 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 70 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3419 | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL TYPE (MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SC3419_04 | TOSHIBA |
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Medium-Power Amplifier Applications |
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| 2SC3419O | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-126 |
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| 2SC3419-O | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 0.8 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-8H1A, 3 PIN, BIP General P |
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| 2SC3419Y | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-126 |
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| 2SC3419-Y | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.8 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-8H1A, 3 PIN, BIP General P |
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| 2SC3420 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3420 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3420 | WINNERJOIN |
获取价格 |
TRANSISTOR (NPN) |
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| 2SC3420 | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL TYPE (STOROBO FLASH, MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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