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2SC1972

更新时间: 2024-09-18 22:45:07
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三菱 - MITSUBISHI 放大器功率放大器无线局域网
页数 文件大小 规格书
3页 129K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications)

2SC1972 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SFM
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.6
外壳连接:EMITTER最大集电极电流 (IC):3.5 A
集电极-发射极最大电压:17 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:25 W
最大功率耗散 (Abs):1.5 W最小功率增益 (Gp):7.5 dB
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SC1972 数据手册

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