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2SC1986

更新时间： 2024-01-10 00:05:50

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	59K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC1986 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.63	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	6 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	140 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	40 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	10 MHz	Base Number Matches：	1

2SC1986 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC1985 2SC1986

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·Complement to type 2SA770/771

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·For general and industrial purpose

applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

2SC1985

2SC1986

2SC1985

2SC1986

100

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

I_B

Base current

P_C

T_j

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

150

-55~150

T_stg

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC1988	NEC	获取价格	NPN SILICON HIGH FREQUNY TRANSISTOR
2SC2000	NEC	获取价格	NPN SILICON TRANSISTOR
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2SC2000L	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2SC2000M	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
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