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2SC2000

更新时间: 2024-01-22 19:43:00
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日电电子 - NEC 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 49K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

2SC2000 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84最大集电极电流 (IC):0.2 A
基于收集器的最大容量:4.5 pF集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):40
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):70 MHzVCEsat-Max:0.3 V
Base Number Matches:1

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