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2SC2001

更新时间: 2023-12-06 20:11:49
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先科 - SWST 晶体管
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5页 245K
描述
小信号晶体管

2SC2001 数据手册

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2SC2001  
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
Features  
• On special request, these transistors can be  
manufactured in different pin configurations  
• The transistor is subdivided into three groups, O,  
Y and G, according to its DC current gain  
1. Emitter 2. Collector 3. Base  
TO-92 Plastic Package  
Applications  
• For switching and AF amplifier applications  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25)  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
Unit  
V
Collector Base Voltage  
Collector Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
Collector Current  
30  
25  
V
5
700  
V
mA  
mW  
Power Dissipation  
Ptot  
600  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Tj  
150  
Tstg  
- 55 to + 150  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Unit  
Max.  
208  
Thermal Resistance - Junction to Ambient  
℃/W  
1 / 5  
®
Dated: 24/08/2023 Rev: 02  

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