生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | 最大集电极电流 (IC): | 0.2 A |
基于收集器的最大容量: | 4.5 pF | 集电极-发射极最大电压: | 50 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 40 |
JEDEC-95代码: | TO-92 | JESD-30 代码: | O-PBCY-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
极性/信道类型: | NPN | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | BOTTOM | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 70 MHz | VCEsat-Max: | 0.3 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SC2001 | DCCOM |
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TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR | |
2SC2001 | WINNERJOIN |
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TRANSISTOR (NPN) | |
2SC2001 | NEC |
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NPN SILICON TRANSISTOR | |
2SC2001 | TRSYS |
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Plastic-Encapsulated Transistors | |
2SC2001 | SECOS |
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NPN Plastic Encapsulated Transistor | |
2SC2001 | LGE |
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双极型晶体管 | |
2SC2001 | SWST |
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小信号晶体管 | |
2SC2001 | CJ |
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TO-92 | |
2SC2001 | FOSHAN |
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TO-92 | |
2SC2001-B | MCC |
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Transistor |