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2SC2001-BP PDF预览

2SC2001-BP

更新时间： 2024-11-20 20:06:47
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 73K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC PACKAGE-3

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2SC2001-BP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.68最大集电极电流 (IC)：0.7 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：90JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

2SC2001-BP 数据手册

 浏览型号2SC2001-BP的Datasheet PDF文件第2页 
2SC2001  
2SC2001-M  
2SC2001-L  
2SC2001-K  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
•
•
•
•
Capable of 0.6Watts of Power Dissipation.  
NPN Silicon  
Plastic-Encapsulate  
Transistor  
Collector-current 0. 7A  
Collector-base Voltage 30V  
Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC  
x
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
x
Marking: C2001  
TO-92  
A
E
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
B
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V (BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
25  
30  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
(I C=10mAdc, I =0)  
B
Collector-Base Breakdown Voltage  
(I C=100uAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(I E=100uAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=30Vdc, IE=0)  
Collector Cutoff Current  
5.0  
---  
---  
Adc  
C
0.1  
0.1  
0.1  
uAdc  
Vdc  
ICEO  
----  
---  
(VCE=20Vdc, I =0)  
E
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(V EB=5.0Vdc, IC=0)  
uAdc  
D
ON CHARACTERISTICS  
hFE  
DC Current Gain  
(I C=100mAdc, VCE=1.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(I C=700mAdc, IB=70mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(I C=700mAdc, IB=70mAdc)  
90  
---  
---  
50  
400  
0.6  
1.2  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
MHz  
E
C
B
V CE(sat)  
V(BE)sat  
fT  
G
Transition Frequency  
(VCE=6.0Vdc, IC=10mAdc, f=30MHz)  
DIMENSIONS  
INCHES  
MIN  
.170  
.170  
.550  
.010  
.130  
.010  
MM  
MIN  
DIM  
A
B
C
D
MAX  
MAX  
4.83  
4.83  
14.97  
0.56  
3.96  
2.64  
NOTE  
.190  
.190  
.590  
.020  
.160  
.104  
4.33  
4.30  
13.97  
0.36  
3.30  
2.44  
CLASSIFICATION OF HFE  
Rank  
M
L
K
Range  
90-180  
135-270  
200-400  
E
G
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: 5  
2007/03/02  
12

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