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Datasheet > 晶体管 > 其他晶体管> 2SC2001-M-B
2SC2001-M-B PDF预览

2SC2001-M-B

更新时间： 2024-11-20 13:04:15
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 215K
描述
Transistor

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2SC2001-M-B 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92Is Samacsys：N
JESD-609代码：e0端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

2SC2001-M-B 数据手册

 浏览型号2SC2001-M-B的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
2SC2001-M  
2SC2001-L  
2SC2001-K  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
•
•
•
•
·
Capable of 0.6Watts of Power Dissipation.  
NPN Silicon  
Plastic-Encapsulate  
Transistor  
Collector-current 0. 7A  
Collector-base Voltage 30V  
Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
·
x
•
Moisure Sensitivity Level 1  
Marking: C2001  
Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates RoHS  
Compliant. See ordering information)  
TO-92  
A
E
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
B
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V (BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
25  
30  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
(I C=10mAdc, I =0)  
B
Collector-Base Breakdown Voltage  
(I C=100uAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(I E=100uAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=30Vdc, IE=0)  
Collector Cutoff Current  
5.0  
---  
---  
Adc  
C
0.1  
0.1  
0.1  
uAdc  
Vdc  
ICEO  
----  
---  
(VCE=20Vdc, I =0)  
E
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(V EB=5.0Vdc, IC=0)  
uAdc  
D
ON CHARACTERISTICS  
hFE  
DC Current Gain  
(I C=100mAdc, VCE=1.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(I C=700mAdc, IB=70mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(I C=700mAdc, IB=70mAdc)  
90  
---  
---  
50  
400  
0.6  
1.2  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
MHz  
V CE(sat)  
V(BE)sat  
fT  
E
C
B
G
Transition Frequency  
(VCE=6.0Vdc, IC=10mAdc, f=30MHz)  
DIMENSIONS  
INCHES  
MM  
DIM  
A
B
C
D
MIN  
MAX  
.190  
MIN  
4.33  
4.30  
13.97  
0.36  
3.30  
2.44  
MAX  
4.83  
4.83  
14.97  
0.56  
3.96  
2.64  
NOTE  
.170  
.170  
.550  
.010  
.130  
.096  
CLASSIFICATION OF HFE  
.190  
.590  
.020  
.160  
.104  
Rank  
M
L
K
Range  
90-180  
135-270  
200-400  
E
G
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: A  
2011/01/01  
12

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与2SC2001-M-B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC2001-M-BP MCC

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 		暂无描述
2SC2001M-BP MCC

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 		700mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
2SC2002 NEC

获取价格

 		NPN SILICON TRANSISTOR
2SC2002 RENESAS

获取价格

 		300mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, SC-43B, 3 PIN
2SC2002 SWST

获取价格

 		小信号晶体管
2SC2002-A RENESAS

获取价格

 		300mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, SC-43B, 3 PIN
2SC2002K CDIL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2SC2002-K NEC

获取价格

 		暂无描述
2SC2002L CDIL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2SC2002-L NEC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

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